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高周波マグネトロンスパッタリング装置 1元型 SCOTT-C1


 
概 要
真空蒸着よりも緻密で高精度な薄膜を再現性よく形成し、真空蒸着では不可能だった高融点物質の成膜も可能なスパッタリング装置です。

特 長
平行平板型RFマグネトロン放電方式で、絶縁物はもとより、半導体や金属のスパッタリングが可能。
主排気系は、クリーンな真空を得られるターボ分子ポンプを使用。
「SCOTT-C1」は、一元4インチカソードなので広範囲の成膜が可能。
エッチング機構を標準搭載。

仕 様
型式 VTR-300M/SRF
基板サイズ・数量 Dia. 4インチ(Dia. 100mm)× t =1mm、1ケ
カソード 4インチ 1元
有効成膜範囲 Dia. 50mm
RF電源 Max 300W(40〜300W可変)
成膜速度 SiO2 成膜にて、30nm/min以上
膜厚分布 SiO2 成膜にて、Dia. 50mm領域±10%以内
真空槽到達圧力 6.6×10−4Pa
排気時間 大気圧より、6.6×10−3Paまで5分以内
基板加熱温度 Max 350℃(水冷)
基板・電極間距離 60mm
外形寸法 (幅)×(奥行)×(高) 1102mm×704mm×1262mm
装置質量 約500kg
所要電力 単相100V(50/60Hz)3.0kVA
所要水量 約8L/min(水温:25℃以下、水圧:200kPa)
エッチング分布 酸化膜シリコンウエハにて、Dia. 70mm領域±10%以内

寸 法 図

オプション

スパッタダウン
基板加熱600℃(水冷)
ガス導入追加 DC電源
マスフロコントローラー  



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