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 仕様｜寸法図｜オプション 前頁｜次頁
高周波スパッタリング装置　RFS-200
　
概　要
真空蒸着よりも緻密で高精度な薄膜を再現性よく形成し、真空蒸着では不可能だった高融点物質の成膜も可能なスパッタリング装置です。

特　長
１． コンパクトで設置スペースをとりません。
２． 電源は一次側100V、15Aで使用でき、出力は200W水晶制御方式で、スパッタ速度は20nm/min（SiO2）が得られます。
３． 真空計、温度指示調整計、安全操作用の非常警報器など必要な計器類は組み込まれております。

仕　様
ターゲット Dia.80　厚さ1〜5t
真空槽 200mm（W）×250mm（D）×150mm（H）
SUS304　前面扉式
基板電極 Dia.80mm　Cu製　加熱・冷却式
ターゲット電極 Dia.80mm　Cu製　冷却
シャッター Dia.95mm×厚さ1t　手動操作
RF電源 200W　13.56MHz
基板加熱電源 デジタル自動温度調節　Max 350℃
排気系 油拡散ポンプ 2 1/2"、 240L/sec.　油回転ポンプ G-100D 100L/min.
外形寸法・質量 800mm（W）×630mm（D）×1450mm（H）
200kg
所要電力 単相 100V 1.3kVA
RF電源 単相 100V 0.5kVA
冷却水量 200kPa　5L/min　20℃以下
到達圧力 6.7×10−4Pa
排気時間 10−3Pa台5min.
スパッタ圧力 10−1Pa Ar


寸　法　図
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オプション
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●液体窒素トラップ
●電離真空計
●マグネトロン ●インライントラップ（OMI-100）
●基板加熱650℃ ●ターゲット
　Al・Cu・Au・Cr・Si・Ge・Se・SiO2・Al2O3　他
●導入ガス2系統、3系統

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